近日，英诺赛科在氮化镓（GaN）功率器件领域取得重要技术突破，关键创新方向上捷报频传。

　　由英诺赛科技术团队主导、联合香港大学张宇昊教授课题组合作完成的研究成果，成功入选2025年 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2025）。与此同时，英诺赛科与该课题组联合发表的另一项研究工作，荣获 IEEE ECCE 2024最佳论文奖，充分彰显了英诺赛科在功率半导体器件及电力电子系统层面的国际领先实力。

　　IEDM 被誉为“半导体器件领域的奥林匹克”，是全球规格最高、影响力最大的电子器件类顶级学术会议。此次入选 IEDM 2025 的论文，系统报道了英诺赛科650 V GaN单片集成双向开关（Monolithic Bidirectional Switch）在极端短路工况下的鲁棒性表现。该单片双向 GaN 器件展现出的卓越短路鲁棒性，为其在 AI 数据中心、新能源汽车、工业电源以及高可靠性 AC 功率变换等关键应用场景中的规模化应用奠定了坚实的技术基础。

　　在电力电子领域旗舰会议2024 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition（ECCE）上，英诺赛科团队凭借在 GaN 可靠性与单片集成电路方向的系统级创新成果，荣获 William M. Portnoy Award 论文一等奖。IEEE ECCE 是全球电力电子与能源转换领域规模最大、影响力最广的顶级会议之一，而William M. Portnoy Award 则是由IEEE工业应用学会（IAS）功率电子器件与组件委员会颁发的最高学术荣誉之一。该奖项评选标准极为严格，从ECCE 2024年接收的1143篇文章中遴选出功率器件方向唯一的一等奖文章。此次获奖标志着英诺赛科在GaN功率器件可靠性与单片集成技术方面已跻身国际第一梯队。

　　从 IEDM 到 ECCE，从器件物理到系统应用，连续获得国际顶级会议与权威奖项的认可，充分体现了英诺赛科以产业需求牵引底层技术创新的发展路径。

　　接下来，英诺赛科将持续推动GaN技术在高效率、高功率密度与高可靠性应用场景中的规模化落地，并深化与产业界和学术界的协同创新，加速第三代半导体技术迈向主流应用。