近日，行家说第三代半导体年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛在深圳举办，在同期举办的“2024行家极光奖”颁奖典礼上，英诺赛科凭借其先进的氮化镓技术和优秀的市场开拓能力，被评为“第三代半导体年度标杆领军企业”和“中国氮化镓十强企业”。除了企业荣誉外，英诺赛科40V车规级产品INN040FQ045A-Q荣获“年度影响力产品”奖。迄今为止，英诺赛科已连续三年获评行家极光奖。

　　英诺赛科是氮化镓功率半导体的领导者，拥有全球最大的八英寸硅基氮化镓晶圆生产制造能力，是唯一实现氮化镓高、低压芯片量产的IDM企业。2024年，英诺赛科基于八英寸高性能、高可靠性的氮化镓平台，进行产品的研发和应用技术的开发与推广，实现了行业创新和突破。截至今年三季度，氮化镓产品出货量已突破10亿颗。

　　40V车规级产品INN040FQ045A-Q是基于英诺赛科40V车规平台开发的一款超小封装的氮化镓车规芯片，已通过AEC-Q101车规级认证，是继车载激光雷达之后第二款打入车规前装市场的氮化镓芯片，可以满足UMM（USB Multi-Connect Module）及UCM（USB Charging Module）等车载充电通讯模块的大功率充电和高频通讯需求，为新能源汽车的智能化、便捷化提供助力。

　　2024年，英诺赛科已荣获国际电子成就奖（最佳功率半导体/驱动器）、“中国芯”优秀技术创新产品奖、GaN行业卓越奖、OPPO 2024最具创新奖等多项荣誉。